LED的核心技術是高亮度LED的外延生長和芯片制造技術，近幾年政府和相關研究機構高度重視LED核心技術的開發(fā)，投入了大量資金和人力加以研究，主要研究機構有北大、清華、南昌大學、中科院半導體所、中科院物理所、中電科技集團第13研究所等。在外延生長、芯片制造方面，如在不同襯底（Al2O3.Si、SiC、AlN）上外延生長GaN材料，已開發(fā)出圖形化襯底外延、非極性或半極性外延、襯底轉移、激光剝離、共晶焊接、ITO電極、表面粗化和光子晶體等，提高內量子效率和外量子效率方面，取得很好的研究成果，已研發(fā)出AlGaN深紫外（260nm～400nm）發(fā)光二極管，還研發(fā)出1W的LED藍光芯片，做成白光的LED發(fā)光效率超過80lm/W，并研制出四元系AlGaInP紅光功率LED器件，發(fā)光效率約40lm/W.南昌大學研制出了有自主知識產權的在硅襯底上生長GaN，并做出藍、綠LED芯片，現已產業(yè)化。 

 

　　國內LED外延生長和芯片制造的主要企業(yè)有廈門三安、大連路美、上海藍光、上海藍寶、山東華光、杭州士藍明芯、江西晶能光電、河北同輝、沈陽方大、廈門乾照、江西聯(lián)創(chuàng)、南昌欣磊、上海大晨、上海宇體、深圳世紀晶源、深圳奧倫德、揚州華夏集成、廊坊清芯、甘肅新天電、武漢迪源、西安中為、廣州普光、東莞福地，以及外資企業(yè)如武漢華燦、廈門晶宇、廈門明達和晉江晶藍等，這些企業(yè)在芯片結構和工藝改進方面做了大量工作，在提高產品性能、成品率、工藝重復性，提高抗光衰能力和可靠性等方面均取得較大成果。2008年高亮度LED芯片超過300億只，其中藍、綠芯片80億只～100億只。而2007年國內生產高亮度芯片超過210億只，增長率為75%，其中藍、綠芯片約為65億只，增長率為62.5%. 

 

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